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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3457 | NSC |
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TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,50NA I(DSS),TO-72 |
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| 2N3458 | INTERFET |
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N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N3458 | NJSEMI |
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N-CHANNEL SILICON JUNCTION |
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| 2N3459 | INTERFET |
获取价格 |
N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N3459 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON JUNCTION |
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| 2N3460 | INTERFET |
获取价格 |
N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N3460 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON JUNCTION |
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| 2N3467 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3467 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3467 | MICROSEMI |
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PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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