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2N3469

更新时间： 2024-02-13 03:28:39

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	384K
描述
Transistor

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2N3469 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.46	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N3469 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3470	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N3471	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N3472	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16	获取价格
2N3473	POWEREX	Transistor	获取价格
2N3474	POWEREX	Transistor	获取价格
2N3475	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16	获取价格

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