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2N3468

更新时间： 2024-11-08 22:45:03

品牌	Logo	应用领域
SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Type 2N3468 Geometry 6706 Polarity PNP

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2N3468 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2N3468 数据手册

Data Sheet No. 2N3468

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3468

Type 2N3468

Geometry 6706

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/348

Features:

General-purpose transistor for

switching and amplifier applica-

tons.

Housed in a TO-39 case.

Also available in chip form using

the 6706 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/348 which

Semicoa meets in all cases.

TO-39

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

5.0

1.0

^oC

T_J

-55 to +175

^oC

T_STG

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与2N3468相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3468L	SEMICOA	获取价格	Type 2N3468L Geometry 6706 Polarity PNP
2N3468L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N3469	ASI	获取价格	Transistor
2N3470	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16
2N3471	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16
2N3472	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16
2N3473	POWEREX	获取价格	Transistor
2N3474	POWEREX	获取价格	Transistor
2N3475	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-5/16
2N3476	POWEREX	获取价格	Transistor