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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3266E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-211MB, Metal, 3 Pin, T |
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| 2N327 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3277 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3278 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N327A | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
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| 2N327B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
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| 2N328 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 |
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| 2N3283 | ASI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-7 |
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| 2N3287 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3288 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 |
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