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2N327B

更新时间: 2024-02-16 12:55:22
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 306K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5

2N327B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.66
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):6
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.386 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):0.2 MHz
Base Number Matches:1

2N327B 数据手册

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