生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TO-63, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.77 | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | JEDEC-95代码: | TO-211MB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-X3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N327 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 | |
2N3277 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3278 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N327A | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR | |
2N327B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 | |
2N328 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.2A 3-Pin TO-39 | |
2N3283 | ASI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-7 | |
2N3287 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 | |
2N3288 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 | |
2N3289 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 |