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2N3266E3

更新时间: 2024-11-12 14:46:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-211MB, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

2N3266E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-63, 3 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.77集电极-发射极最大电压:60 V
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-211MB
JESD-30 代码:O-MUPM-X3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1

2N3266E3 数据手册

  

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