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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3186E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3187 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3187 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3187E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3188 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3189 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3189E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N319 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N3190 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3190E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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