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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3196E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3197 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| 2N3197E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3198 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N3198E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N320 | DIGITRON | TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5 |
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