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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3208 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin |
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| 2N3208E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3209 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N3209 | NJSEMI |
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HIGH SPEED PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL |
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| 2N3209 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package. |
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| 2N3209 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH-SPEED SATURATED SWITCHES |
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| 2N3209CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH SPEED, PNP, SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKA |
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| 2N3209DCSM | SEME-LAB |
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DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERA |
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| 2N3209L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N3209LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18 |
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