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2N322

更新时间： 2024-01-03 22:29:12

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	269K
描述
alloy-junction germanium transistors

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2N322 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	34	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	100 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

2N322 数据手册

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