是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BCY | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.01 |
最大集电极电流 (IC): | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 50 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | 最大关闭时间(toff): | 300 ns |
最大开启时间(吨): | 40 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N2907AL | MICROSEMI |
类似代替 |
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR | |
2N2907A | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2907ABS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
2N2907ABS-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, | |
2N2907AC1 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N2907AC3 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N2907ACECC | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 | |
2N2907ACSM | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH SPEED, MEDIUM POWER, PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC | |
2N2907ACSM_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N2907ACSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N2907ACSM4R | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N2907AD | ZETEX |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,CHIP / DIE |