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2N250

更新时间： 2024-01-20 05:56:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	763K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-3

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2N250 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	100 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2N250 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2500	TI	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-5	获取价格
2N2501	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N2501LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,	获取价格
2N2503	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-93	获取价格
2N2503E3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-93	获取价格
2N2504	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-93	获取价格

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