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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | GATE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2501 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N2501LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N2503 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2503E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 50V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2504 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2504E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2505 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
|
| 2N2505E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2506 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2506E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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