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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.15 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-93 | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大均方根通态电流： | 235.5 A |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2508E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 500V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 2N2509 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N2509A | NJSEMI | LOW LEVEL LOW NOISE NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N2509LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N250A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
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| 2N251 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 2A I(C) | TO-3 |
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