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2N2369

更新时间： 2024-01-19 22:45:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管
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4页	46K
描述
HIGH-FREQUENCY SATURATED SWITCH

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2N2369 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	18 ns	最大开启时间（吨）：	12 ns
Base Number Matches：	1

2N2369 数据手册

2N2369

HIGH-FREQUENCY SATURATED SWITCH

DESCRIPTION

The 2N2369 is a silicon planar epitaxial NPN tran-

sistorin JedecTO-18metal case. It is designed spe-

cifically for high-speed saturated switching applica-

tions at current levels from 100 µA to 100 mA.

TO-18

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CM

Parameter

Collector-base Voltage (I_E= 0)

Value

Unit

Collector-emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (I_C= 0)

4.5

0.5

Collector Peak Current (t = 10 µs)

P_{to t}

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25 °C

at T_{cas e}≤ 25 °C

0.36

1.2

0.68

at T_{cas e}≤ 100 °C

_stg, T_j

Storage and Junction Temperature

– 65 to 200

°C

Products approved to CECC 50004-022/023 available on request.

January 1989

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