5秒后页面跳转
2N1189 PDF预览

2N1189

更新时间: 2024-01-04 16:06:13
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 269K
描述
alloy-junction germanium transistors

2N1189 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
最大集电极电流 (IC):0.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-609代码:e0
最高工作温度:100 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):1.8 MHzBase Number Matches:1

2N1189 数据手册

 浏览型号2N1189的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N1189的Datasheet PDF文件第3页 

与2N1189相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N118A TI

获取价格

25mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N119 NJSEMI

获取价格

N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR
2N1190 ETC

获取价格

alloy-junction germanium transistors
2N1191 ETC

获取价格

alloy-junction germanium transistors
2N1192 NJSEMI

获取价格

Germanium Transistor
2N1193 ETC

获取价格

alloy-junction germanium transistors
2N1194 ETC

获取价格

alloy-junction germanium transistors
2N11S2 NJSEMI

获取价格

germanium power transistors
2N11S4A NJSEMI

获取价格

germanium power transistors
2N120 UTC

获取价格

N-CH