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2N1194

更新时间： 2024-02-21 14:23:08

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	269K
描述
alloy-junction germanium transistors

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2N1194 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	100 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2N1194 数据手册

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2N1203	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| STR-8	获取价格
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