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2N1219

更新时间: 2024-01-07 09:14:27
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 150K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5

2N1219 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):18
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

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