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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.85 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N119 | NJSEMI |
获取价格 |
N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1190 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1191 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1192 | NJSEMI |
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Germanium Transistor |
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| 2N1193 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1194 | ETC |
获取价格 |
alloy-junction germanium transistors |
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| 2N11S2 | NJSEMI |
获取价格 |
germanium power transistors |
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| 2N11S4A | NJSEMI |
获取价格 |
germanium power transistors |
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| 2N120 | UTC |
获取价格 |
N-CH |
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| 2N1202 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STR-8 |
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