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2N1208

更新时间： 2024-02-24 00:06:32

品牌	Logo	应用领域
APITECH		/
页数	文件大小	规格书
1页	54K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

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技术参数
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2N1208 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-61
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-61
JESD-30 代码：	O-MUPM-D3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	85 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N1208 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N1209	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 45V 5A 3-Pin TO-61	获取价格
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