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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.89 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.025 A |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 76 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1154 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60MA I(C) | TO-22VAR |
|
| 2N1155 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
|
| 2N1156 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-22VAR |
|
| 2N1157 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 40A I(C) | STR-1/4 |
|
| 2N1157A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 40A I(C) | STR-1/4 |
|
| 2N1159 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1160 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 7A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1162 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
| 2N1162A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1163 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
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