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2N1159

更新时间: 2024-01-18 16:43:02
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 365K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5A I(C) | TO-3

2N1159 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-609代码:e0
最高工作温度:95 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):20 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N1159 数据手册

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