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2N1183

更新时间: 2024-01-29 02:23:55
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1页 78K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8

2N1183 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-8包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-8
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.5 MHzBase Number Matches:1

2N1183 数据手册

  
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