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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 95 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1160 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 7A I(C) | TO-3 |
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| 2N1162 | NJSEMI |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1162A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1163 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| 2N1163A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| 2N1164 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1164A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
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| 2N1165 | SMSC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-41, Metal, 2 Pin, TO |
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| 2N1165A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
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| 2N1166 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
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