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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.54 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.06 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 9 | JESD-30 代码： | O-MBFM-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N1155 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
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| 2N1156 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-22VAR |
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| 2N1157 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 40A I(C) | STR-1/4 |
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| 2N1157A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 40A I(C) | STR-1/4 |
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| 2N1159 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N1160 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 7A I(C) | TO-3 |
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