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2N1015D

更新时间: 2024-11-24 20:23:59
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APITECH 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN

2N1015D 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-82
包装说明:TO-82, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.37Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:O-MBPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:150 W
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.02 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

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