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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | O-MBPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.25 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1015F | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1016 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1016A | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1016B | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N1016BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2N1016C | POWEREX |
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Transistor |
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| 2N1016C | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N1016C | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| 2N1016CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N1016D | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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