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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | SMA-M, I/P POWER-MAX(PEAK)=250W |
| 标称衰减： | 9 dB | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COAXIAL | 最大输入功率 (CW)： | 33.01 dBm |
| JESD-609代码： | e4 | 最大工作频率： | 2500 MHz |
| 最小工作频率： | 最高工作温度： | 125 °C | |
| 最低工作温度： | -65 °C | 射频/微波设备类型： | FIXED ATTENUATOR |
| 端子面层： | GOLD | 最大电压驻波比： | 1.15 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2DI 100Z-100 | FUJI |
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2-Pack BJT 1000V 100A |
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| 2DI100A120 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100A-120 | FUJI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI100A140 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100A-140 | FUJI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1400V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI100D-050 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI100D100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100D-100 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI100M-050 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100M-120 | ETC |
获取价格 |
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