生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
针数: | 9 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 最大集电极电流 (IC): | 100 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | COMPLEX |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | 最大降落时间(tf): | 4000 ns |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 620 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1240 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 3000 ns | 子类别: | BIP General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 16000 ns |
最大开启时间(吨): | 3000 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
KD324510 | POWEREX |
功能相似 |
Dual Darlington Transistor Module (100 Amperes/600 Volts) | |
MG100G2CL1 | TOSHIBA |
功能相似 |
TECHNICAL DATA |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2DI100D100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) | |
2DI100D-100 | FUJI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox | |
2DI100M-050 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) | |
2DI100M-120 | ETC |
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2DI100MA-050 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) | |
2DI100Z-100 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE | |
2DI100Z-120 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE | |
2DI100Z-140 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 100A I(C) | |
2DI150A120 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 150A I(C) | |
2DI150A-120 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE |