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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X11 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 11 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 800 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 800 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 3000 ns |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 18000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 3000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2DI100A140 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100A-140 | FUJI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1400V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI100D-050 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI100D100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100D-100 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1000V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox |
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| 2DI100M-050 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100M-120 | ETC |
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| 2DI100MA-050 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 100A I(C) |
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| 2DI100Z-100 | FUJI |
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POWER TRANSISTOR MODULE |
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| 2DI100Z-120 | FUJI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR MODULE |
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