生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | SMA-M, I/P POWER-MAX(PEAK)=250W |
标称衰减: | 5 dB | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COAXIAL | 最大输入功率 (CW): | 33.01 dBm |
JESD-609代码: | e4 | 最大工作频率: | 2500 MHz |
最小工作频率: | 最高工作温度: | 125 °C | |
最低工作温度: | -65 °C | 射频/微波设备类型: | FIXED ATTENUATOR |
端子面层: | GOLD | 最大电压驻波比: | 1.15 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2DH-6F | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DH-6M | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DH-7M | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DH-8F | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DH-9F | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DH-9M | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE | |
2DI 100Z-100 | FUJI |
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2-Pack BJT 1000V 100A | |
2DI100A120 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 100A I(C) | |
2DI100A-120 | FUJI |
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Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox | |
2DI100A140 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.4KV V(BR)CEO | 100A I(C) |