5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2DD1664Q-13
2DD1664Q-13 PDF预览

2DD1664Q-13

更新时间： 2024-11-14 07:27:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 223K
描述
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2DD1664Q-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：1.72
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：280 MHz
Base Number Matches：1

2DD1664Q-13 数据手册

 浏览型号2DD1664Q-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2DD1664Q-13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2DD1664Q-13的Datasheet PDF文件第4页 
2DD1664P/Q/R  
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type Available (2DB1132)  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
SOT89-3L  
Mechanical Data  
TOR  
LLEC  
2,4  
CO  
•
•
Case: SOT89-3L  
Case Material: Molded Plastic, "Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
3 E  
2 C  
1 B  
C 4  
T
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
1
ASE  
B
3
•
•
•
Marking & Type Code Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
EMITTER  
EW  
VI  
OP  
Schematic and Pin Configuration  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
40  
32  
5
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
1
A
IC  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
1
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
125  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
C = 50μA, IE = 0  
40  
32  
5
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
I
I
I
C = 1mA, IB = 0  
V
E = 50μA, IC = 0  
0.5  
⎯
⎯
μA  
μA  
V
V
CB = 20V, IE = 0  
EB = 4V, IC = 0  
Emitter Cut-Off Current  
0.5  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.12  
⎯
⎯
0.4  
180  
270  
390  
V
VCE(SAT)  
⎯
82  
120  
180  
IC = 500mA, IB = 50mA  
VCE = 3V, IC = 100mA  
⎯
⎯
⎯
2DD1664P  
2DD1664Q  
2DD1664R  
DC Current Gain  
hFE  
⎯
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
VCE = 5V, IE = -50mA,  
f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0,  
f = 1MHz  
Transition Frequency  
280  
10  
MHz  
pF  
fT  
⎯
⎯
⎯
⎯
Output Capacitance  
Cob  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 4 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can be found on our  
website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.  
DS31143 Rev. 4 - 2  
1 of 4  
www.diodes.com  
2DD1664P/Q/R  
© Diodes Incorporated  
1234

中文翻译

下载PDF

与2DD1664Q-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2DD1664R DIODES

获取价格

 		NPN, 32V, 1A, SOT89
2DD1664R-13 DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DD1766P DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DD1766Q DIODES

获取价格

 		NPN, 32V, 2A, SOT89
2DD1766Q-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEE
2DD1766R DIODES

获取价格

 		NPN, 32V, 2A, SOT89
2DD2098R DIODES

获取价格

 		LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DD2098R-13 DIODES

获取价格

 		LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DD2150R DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DD2150R-13 DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与2DD1664Q-13相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证