2SK3388

更新时间： 2024-02-29 06:13:02

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

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2SK3388 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SC-97
包装说明：	SC-97, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	487 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3388 数据手册

2SK3388

– V

I – V

D DS

100

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

4.2

4.5

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

5.5

3.8

4.5

= 3.5 V

= 4 V

Drain-source voltage

(V)

Drain-source voltage

(V)

– V

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

Common source

= 10 V

Pulse test

= 20 A

Tc = -55°C

100

Gate-source voltage

(V)

Gate-source voltage

(V)

ïY ï – I

– I

DS (ON)

100

1000

100

Common source

Tc = 25°C

Pulse test

= 10 V

Pulse test

Tc = -55°C

100

= 10, 15 V

100

Drain current

(A)

Drain current

(A)

2002-02-06

1 234 5 6

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