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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 最小漏源击穿电压： | 3.5 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK2113YY-TL | RENESAS | RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch |
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| 2SK2113YY-TR | RENESAS | RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Ch |
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| 2SK2113YY-UL | RENESAS | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 2SK2113YY-UR | RENESAS | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 2SK2114 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2114 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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