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2SK211OTE85R

更新时间: 2024-01-02 20:40:44
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 122K
描述
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal

2SK211OTE85R 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.09
Is Samacsys:N配置:SINGLE
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):0.15 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK211OTE85R 数据手册

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