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2SK1109

更新时间： 2024-01-25 21:38:48

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日电电子 - NEC		晶体转换器晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	47K
描述
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

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2SK1109 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	FET 技术：	JUNCTION
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.08 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SK1109 数据手册

2SK1109

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

RANK: J32

RANK: J33

0.15 V

250

200

150

100

300

240

180

120

0.15 V

0.10 V

0.05 V

0.10 V

0.05 V

GS = 0 V

−0.15 V

−0.05 V

−0.10 V

−0.15 V

−0.05 V

−0.10 V

DS - Drain to Source Voltage - V

VDS - Drain to Source Voltage - V

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

RANK: J35

RANK: J34

500

400

300

200

100

400

320

240

160

0.15 V

0.10 V

0.15 V

0.10 V

0.05 V

GS = 0 V

VGS = 0 V

−0.05 V

−0.10 V

−0.05 V

−0.10 V

−0.15 V

DS - Drain to Source Voltage - V

V^DS- Drain to Source Voltage - V

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

RANK: J36

RANK: J37

0.15 V

0.10 V

700

560

420

280

140

900

720

540

360

180

0.15 V

0.10 V

0.05 V

VGS = 0 V

GS = 0 V

−0.05 V

−0.10 V

−0.05 V

−0.10 V

−0.15 V

DS - Drain to Source Voltage - V

V^DS- Drain to Source Voltage - V

Data Sheet D15940EJ1V0DS

1 2 345 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1109J32	RENESAS	10mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SC-59, 3 PIN	获取价格
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