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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 500 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3637_15 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3637_2014 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638 | SANYO | Very High-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications |
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| 2SC3638 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3638_15 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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