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2SC3357

更新时间： 2024-06-27 12:13:20
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描述
SOT-89

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2SC3357 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：POWER, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.6其他特性：LOW NOISE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6500 MHzBase Number Matches：1

2SC3357 数据手册

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2SC3357  
NPN Silicon RF Transistor  
FEATURES  
·Low Noise and High Gain  
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP.  
@VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz  
NF = 1.8 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP.  
@VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz  
APPLICATIONS  
SOT-89  
·Designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-89  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.055 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
20  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
12  
V
3.0  
V
Collector current  
100  
mA  
W
Total power dissipation  
Junction temperature  
PT*  
1.2  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
-65 to +150  
62.5  
Thermal Resistance  
Rth(j-a)*  
/W  
* mounted on 16 cm2 X 0.7 mm(t) Ceramic Substrate  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
DC current gain  
Symbol  
ICBO  
Test conditions  
VCB = 10V,IE=0  
VEB = 1.0V,IC=0  
Min  
50  
Typ  
Max  
1.0  
1.0  
250  
Unit  
A
IEBO  
A
hFE *1 VCE =10V,Ic=20mA  
120  
9
2
Insertion Power Gain  
VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
VCE = 10V ,Ic=20mA  
dB  
dB  
|S21e  
NF  
|
1.1  
1.8  
0.65  
6.5  
Noise Figure  
3.0  
1.0  
dB  
Output Capacitance  
Transition frequency  
Cob  
fT  
pF  
GHz  
*1 Pulse Measurement PW 350 ms, Duty Cycle 2 %  
*2 The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance bridge.  
CLASSIFICATION OF hFE  
Marking  
Rank  
RH  
RH  
RF  
RF  
RE  
RE  
hFE  
20 100  
80 160  
125 250  
1 / 6  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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