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2N6849

更新时间： 2024-01-14 21:48:48
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB /
页数 文件大小 规格书
2页 28K
描述
P.CHANNEL POWER MOSFETs

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2N6849 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15针数：18
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CQCC-N15
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/564F表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N6849 数据手册

 浏览型号2N6849的Datasheet PDF文件第2页 
2N6849  
S E M E  
LA B  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
P–CHANNEL  
POWER MOSFETs  
VDSS  
- 100V  
- 6.5A  
8
9
.
.
8
4
9
0
(
(
0
0
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3
3
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t
y
p
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ID(cont)  
2
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(
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1
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5
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1
3
RDS(on) 0.30  
0
1
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4
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8
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a
m
x
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0
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m
i
n
.
7
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0
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3
0
5
)
8
.
5
1
(
0
.
3
3
5
)
d
i
a
.
FEATURES  
4
5
°
• Single pulse avalanche energy rated  
• SOA is power dissipation limited  
• Nanosecond switching speeds  
• Linear transfer characteristics  
• High input impedance  
TO–39 METAL PACKAGE  
Underside View  
Pin 1 = Emitter  
Pin 2 = Base  
Pin 3 = Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Gate – Source Voltage*  
±20V  
-100V  
GS  
DS  
DG  
Drain – Source Voltage*  
Drain – Gate Voltage (R = 20k )*  
-100V  
GS  
I
Continuous Drain Current @ T = 25°C*  
–6.5A  
D
C
@ T = 100°C*  
–4.1A  
C
2*  
I
Pulsed Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
–25A  
DM  
3
E
P
500mJ  
25W  
AS  
D
Power Dissipation  
@ T = 25°C*  
C
Linear Derating Factor*  
0.2W/°C  
–55 to +150°C  
5°C/W  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range*  
Thermal Resistance Junction to Case*  
J
STG  
R
R
JC  
JA  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
175°C/W  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 9/00  
12

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