是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.31 |
最大集电极电流 (IC): | 0.35 A | 集电极-发射极最大电压: | 65 V |
配置: | SINGLE | JEDEC-95代码: | TO-205AD |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 500 MHz |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N3554 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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2N3554 | RAYTHEON | Transistor, |
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2N3554LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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2N3555 | TI | 2N3555 |
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2N3555 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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2N3556 | TI | 2N3556 |
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