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2N2906

更新时间： 2024-02-16 17:57:13

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COMSET		晶体放大器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	151K
描述
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS

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2N2906 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N2906 数据手册

PNP 2N2906 – 2N2906A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Symbol

I_CBO

Ratings

Test Condition(s)

Min

Typ Max Unit

2N2906A

-10

-20

-10

-20

Collector Cutoff

Current

Collector Cutoff

Current

Emitter Cutoff

Current (*)

Collector Emitter

Breakdown Voltage

Collector Base

Breakdown Voltage

Emitter Base

T_a= 25°C

µA

V_CB= -50 V

I_E= 0

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

2N2906A

2N2906

I_CBO

T_a= 150°C

I_EBO

V_EB= -5 V, I_C= 0

-50

-60

-40

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C= -10 mA, I_B= 0

I_C= -10 µA, I_E= 0

-60

-5

I_E= -10 µA, I_C= 0

Breakdown Voltage

I_C= -0.1 mA, V_CE= -10 V

I_C= -1 mA, V_CE= -10 V

I_C= -10 mA, V_CE= -10 V

I_C= -150 mA, V_CE= -10 V

I_C= -500 mA, V_CE= -10 V

h_FE

DC Current Gain

120

I_C= -150 mA, I_B= -15 mA

I_C= -500 mA, I_B= -50 mA

I_C= -150 mA, I_B= -15 mA

I_C= -500 mA, I_B= -50 mA

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

Collector-Emitter

saturation Voltage

(*)

V_CE(SAT)

Base-Emitter

saturation Voltage

(*)

V_BE(SAT)

Transition

frequency

Delay time

Rise time

Collector

I_C=-50 mA, V_CE=-20 V

f= 100MHz (*)

I_C=-150 mA ,I_B=-15 mA

-V_CC=-30 V

I_E= I_e= 0 ,V_CB= -10 V

f = 1 MHz

I_C= I_c= 0 ,V_EB= -2 V

f = 1 MHz

f_T

200

MHz

t_d

t_r

C_c

C_e

capacitance

Emitter capacitance

(*) Pulse conditions : tp < 300 µs, δ =2%

01/10/2012 COMSET SEMICONDUCTORS

2 | 3

123

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