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Datasheet > 存储 > EPROM> 27LV64-20I/SO
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27LV64-20I/SO

更新时间： 2024-09-19 02:56:15
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
10页 128K
描述
64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

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27LV64-20I/SO 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：200 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：17.87 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3/5 V编程电压：13 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.64 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.49 mmBase Number Matches：1

27LV64-20I/SO 数据手册

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Obsolete Device  
27LV64  
64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM  
FEATURES  
PACKAGE TYPES  
DIP/SOIC  
• Wide voltage range 3.0V to 5.5V  
• High speed performance  
VPP • 1  
28 VCC  
27 PGM  
26 NC  
25 A8  
24 A9  
23 A11  
22 OE  
21 A10  
20 CE  
19 O7  
18 O6  
17 O5  
16 O4  
15 O3  
- 200 ns access time available at 3.0V  
• CMOS Technology for low power consumption  
- 8 mA active current at 3.0V  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
O0  
O1  
O2  
2
3
4
5
6
- 20 mA active current at 5.5V  
7
- 100 µA standby current  
8
• Factory programming available  
• Auto-insertion-compatible plastic packages  
• Auto ID aids automated programming  
• Separate chip enable and output enable controls  
• High speed “express” programming algorithm  
• Organized 8K x 8: JEDEC standard pinouts  
- 28-pin Dual-in-line package  
9
10  
11  
12  
13  
VSS 14  
PLCC  
- 32-pin PLCC Package  
- 28-pin SOIC package  
- Tape and reel  
5
29  
A6  
A8  
A9  
A11  
NC  
OE  
A10  
CE  
O7  
• Available for the following temperature ranges:  
6
28  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
O0  
- Commercial:  
- Industrial:  
0°C to +70°C  
7
27  
8
26  
-40°C to +85°C  
9
25  
10  
11  
12  
13  
24  
23  
DESCRIPTION  
22  
21  
O6  
The Microchip Technology Inc. 27LV64 is a low-voltage  
(3.0 volt) CMOS EPROM designed for battery powered  
applications. The device is organized as 8K x 8 (8K-  
Byte) non-volatile memory product. The 27LV64 con-  
sumes only 8mA maximum of active current during a  
3.0 volt read operation therefore improving battery per-  
formance. This device is designed for very low voltage  
applications where conventional 5.0 volt only EPROMs  
can not be used. Accessing individual bytes from an  
address transition or from power-up (chip enable pin  
going low) is accomplished in less than 200 ns at  
3.0V.This device allows system designers the ability to  
use low voltage non-volatile memory with today’s low  
voltage microprocessors and peripherals in battery  
powered applications.  
A complete family of packages is offered to provide the  
most flexibility in applications. For surface mount appli-  
cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape  
and reel packaging is also available for PLCC or SOIC  
packages.  
2004 Microchip Technology Inc.  
DS11024F-page 1  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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