是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.44 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 13 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
27C64-20E/K | MICROCHIP |
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8K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
27C64-20E/L | ETC |
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x8 EPROM | |
27C64-20E/P | ETC |
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x8 EPROM | |
27C64-20E/SO | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
27C64-20E/TS | MICROCHIP |
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8K X 8 OTPROM, 200 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28 | |
27C64-20I/D | VISHAY |
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EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28 | |
27C64-20I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
27C64-20I/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
27C64-20I/KA | VISHAY |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 | |
27C64-20I/KB | VISHAY |
获取价格 |
EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32 |