是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 250 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.83 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 13 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.461 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
27C64-25/K | MICROCHIP |
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8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
27C64-25/L | MICROCHIP |
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64K (8K x 8) CMOS EPROM | |
27C64-25/L | VISHAY |
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OTP ROM, 8KX8, 250ns, CMOS, PQCC32 | |
27C64-25/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EPROM | |
27C64-25/P | VISHAY |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 250ns, CMOS, PDIP28 | |
27C64-25/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EPROM | |
27C64-25/TS | MICROCHIP |
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8K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28 | |
27C64-25B/XX | MICROCHIP |
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IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC | |
27C64-25E/J | MICROCHIP |
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8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
27C64-25E/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |