是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.32 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 13 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.83 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
27C64-25/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EPROM | |
27C64-25/TS | MICROCHIP |
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8K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28 | |
27C64-25B/XX | MICROCHIP |
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IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC | |
27C64-25E/J | MICROCHIP |
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8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
27C64-25E/K | MICROCHIP |
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8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
27C64-25E/L | ETC |
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x8 EPROM | |
27C64-25E/P | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
27C64-25E/SO | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
27C64-25E/TS | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 250 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28 | |
27C64-25I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |