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25PT12SM

更新时间： 2024-02-07 06:39:02
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尼尔 - NELLSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 823K
描述
Medium Power Thyristors (Stud Version), 25A

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25PT12SM 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8504.31.40.35
风险等级：5.65其他特性：PCB MOUNTABLE
次级绕组数量：1最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-55 °C变压器类型：POWER TRANSFORMER
VA 额定值：25 VABase Number Matches：1

25PT12SM 数据手册

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RoHS  
25PTS Series RoHS  
SEMICONDUCTOR  
Nell High Power Products  
FORWARD CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUES  
25  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
A
ºC  
A
Maximum average forward current  
at case temperature  
IT(AV)  
180° conduction, half sine wave  
85  
40  
IT(RMS)  
Maximum RMS forward current  
420  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
No voltage  
reapplied  
Maximum peak, one-cycle  
non-reptitive surge current  
440  
350  
ITSM  
A
100%VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
370  
882  
804  
625  
569  
No voltage  
reapplied  
A2s  
A2√s  
V
I2t  
Maximum l²t for fusing  
100%VRRM  
reapplied  
t = 8.3ms  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied,  
TJ = TJ maximum  
I2√t  
Maximum l²√t for fusing  
8820  
0.99  
(16.7 % x πx lT(AV)< l <πx lT(AV)),  
TJ = TJ maximum  
VT(TO)1  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
(l >πx lT(AV)),  
TJ = TJ maximum  
VT(TO)2  
1.40  
(16.7 % x πx lT(AV)< l <πx lT(AV)),  
Low level value of  
on-state slope resistance  
rt1  
rt2  
10.1  
5.7  
TJ = TJ maximum  
mΩ  
High level value of  
on-state slope resistance  
(l >πx lT(AV)),  
TJ = TJ maximum  
lpk = 79 A, TJ = 25°C  
Maximum on-state voltage  
Maximum holding current  
Latching current  
VTM  
lH  
1.70  
130  
200  
V
TJ = 25 °C, anode supply 6 V, resistive load  
mA  
lL  
SWITCHING  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUES  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
Maximum rate of rise  
TJ = TJ maximum, VDM = 2/3 VDRM, tP = 200 µs  
IG = 0.3A, dIG/dt = 0.3 A/us, TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C,  
at rated VDRM/VRRM, TJ = 125 °C  
TJ = TJ maximum,  
A/µs  
dl/dt  
150  
of turned-on current  
tgt  
trr  
Typical turn-on time  
0.9  
4
Typical reverse recovery time  
ITM = IT(AV), tp > 200 µs, dI/dt = - 10 A/µs  
µs  
TJ = TJ maximum, ITM = IT(AV), tp > 200 µs, VR = 100 V,  
tq  
dI/dt = - 10 A/µs, dV/dt = 20 V/µs linear to 67 % VDRM  
,
Typical turn-off time  
110  
gate bias 0 V to 100 V  
Note  
tq = 10 µs up to 600 V, tq = 30 µs up to 1600 V available on special request  
BLOCKING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum critical rate of rise  
of off-state voltage  
TJ = TJ maximum linear to 67 % rated VDRM, gate open  
dV/dt  
1000  
V/µs  
Page 2 of 6  
www.nellsemi.com  
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