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24LC08BHT-E/OT16KVAO

更新时间： 2024-11-17 19:49:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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40页	1104K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO5

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24LC08BHT-E/OT16KVAO 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	LSSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
长度：	2.9 mm	内存密度：	2048 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	4	端子数量：	5
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	筛选级别：	TS 16949
座面最大高度：	1.45 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.55 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

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24AA08/24LC08B

8K I²C™ Serial EEPROM

Description:

Device Selection Table

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp.

Ranges

The Microchip Technology Inc. 24AA08/24LC08B

(24XX08*) is a 8 Kbit Electrically Erasable PROM. The

device is organized as four blocks of 256 x 8-bit

memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage

design permits operation down to 1.7V, with standby

and active currents of only 1 A and 1 mA, respectively.

The 24XX08 also has a page write capability for up to

16 bytes of data. The 24XX08 is available in the

standard 8-pin PDIP, surface mount SOIC, TSSOP, 2x3

DFN, 2x3 TDFN and MSOP packages, and is also

available in the 5-lead SOT-23, or 4-lead Chip Scale

package. All packages are Pb-free and RoHS

compliant.

24AA08

1.7-5.5

2.5-5.5

400 kHz⁽¹⁾

400 kHz

24LC08B

I, E

Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V.

Features:

• Single Supply with Operation down to 1.7V for

24AA08 Devices, 2.5V for 24LC08B Devices

• Low-Power CMOS Technology:

- Read current 1 mA, max.

- Standby current 1 A, max.

• 2-Wire Serial Interface, I²C™ Compatible

• Schmitt Trigger inputs for Noise Suppression

• Output Slope Control to eliminate Ground Bounce

• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility

• Page Write Time 3 ms, typical

• Self-Timed Erase/Write Cycle

Block Diagram

Generator

• 16-Byte Page Write Buffer

• Hardware Write-Protect

• ESD Protection >4,000V

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

• More than 1 Million Erase/Write Cycles

• Data Retention >200 Years

XDEC

Page

Latches

• Factory Programming Available

• Packages include 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP,

DFN, TDFN, MSOP and 5-lead SOT-23, or 4-lead

Chip Scale

I/O

SCL

YDEC

SDA

• Pb-Free and RoHS Compliant

• Temperature Ranges:

Sense Amp.

R/W Control

VCC

VSS

- Industrial (I):

-40°C to +85°C

- Automotive (E): -40°C to +125°C

Package Types

PDIP/MSOP/SOIC/TSSOP

DFN/TDFN

CS (Chip Scale)²

SOT-23-5

VCC

SCL

Vcc

VSS

SDA

SCL

SDA

Vss

SCL

SDA

(Top Down View,

Balls Not Visible)

VSS

Note:

Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX08. (No

internal connections).

 2002-2012 Microchip Technology Inc.

DS21710K-page 1

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