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24LC08BHT-I/MS

更新时间： 2024-11-18 06:25:23
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 756K
描述
8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

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24LC08BHT-I/MS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MSOP
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.19最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010XMMRJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.19封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24LC08BHT-I/MS 数据手册

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24AA08H/24LC08BH  
8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect  
Device Selection Table  
Description:  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
The Microchip Technology Inc. 24AA08H/24LC08BH  
(24XX08H*) is an 8 Kbit Electrically Erasable PROM.  
The device is organized as four blocks of 256 x 8-bit  
memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage  
design permits operation down to 1.7V, with standby  
and active currents of only 1 μA and 1 mA,  
24AA08H  
1.7-5.5  
2.5-5.5  
400 kHz(1)  
400 kHz  
I
24LC08BH  
I, E  
Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V  
respectively. The 24XX08H also has a page write  
capability for up to 16 bytes of data. The 24XX08H is  
available in the standard 8-pin PDIP, surface mount  
SOIC, TSSOP, 2x3 TDFN and MSOP packages, and  
is also available in the 5-lead SOT-23 package. All  
packages are Pb-free and RoHS compliant.  
Features:  
• Single Supply with Operation Down to 1.7V for  
24AA08H Devices, 2.5V for 24LC08BH Devices  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Read current 1 mA, max.  
Block Diagram  
- Standby current 1 μA, max.  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• Page Write Time 3 ms, typical  
HV  
Generator  
WP  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
Page  
Latches  
• 16-Byte Page Write Buffer  
• Hardware Write-Protect for Half-Array (200h-3FFh)  
• ESD Protection >4,000V  
I/O  
SCL  
YDEC  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 years  
SDA  
Sense Amp.  
R/W Control  
VCC  
VSS  
• Factory Programming available  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP,  
TDFN, MSOP and 5-lead SOT-23  
Package Types  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges:  
SOIC, TSSOP  
PDIP, MSOP  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
A0  
1
8
VCC  
1
8
7
A0  
A1  
A2  
VCC  
WP  
- Automotive (E): -40°C to +125°C  
2
3
4
A1  
A2  
2
3
7
6
WP  
SCL  
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
4
5
SDA VSS  
SOT-23-5  
TDFN  
A0  
1
VCC  
WP  
8
7
6
5
WP  
Vcc  
1
5
4
SCL  
2
3
4
A1  
SCL  
SDA  
2
3
Vss  
A2  
VSS  
SDA  
Note:  
Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX08. (No  
internal connections).  
*24XX08H is used in this document as a generic part  
number for the 24AA08H/24LC08BH devices.  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
DS22084A-page 1  
1234567...28

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24LC08BHT-I/MS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
24LC08BH-I/MS MICROCHIP

完全替代

 8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P
24LC08BT-I/MS MICROCHIP

完全替代

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