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24LC01B-E/MCG

更新时间： 2024-09-13 19:45:23
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 418K
描述
128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8

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24LC01B-E/MCG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.25
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010XXXR
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
长度：3 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC8,.11,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：2 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

24LC01B-E/MCG 数据手册

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24AA01/24LC01B  
1K I2C™ Serial EEPROM  
Description:  
Device Selection Table  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
The Microchip Technology Inc. 24AA01/24LC01B  
(24XX01*) is a 1 Kbit Electrically Erasable PROM. The  
device is organized as one block of 128 x 8-bit memory  
with a 2-wire serial interface. Low-voltage design  
permits operation down to 1.8V with standby and active  
currents of only 1 μA and 1 mA, respectively. The  
24XX01 also has a page write capability for up to 8  
bytes of data. The 24XX01 is available in the standard  
8-pin PDIP, surface mount SOIC, TSSOP, 2x3 DFN and  
MSOP packages, and is also available in the 5-lead  
SOT-23 package.  
24AA01  
1.8-5.5  
2.5-5.5  
400 kHz(1)  
400 kHz  
I
24LC01B  
I, E  
Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V  
Features:  
• Single supply with operation down to 1.8V  
• Low-power CMOS technology:  
- 1 mA active current typical  
Package Types  
- 1 μA standby current typical (I-temp)  
• Organized as 1 block of 128 bytes (1 x 128 x 8)  
• 2-wire serial interface bus, I2C™ compatible  
• Schmitt Trigger inputs for noise suppression  
• Output slope control to eliminate ground bounce  
SOIC, TSSOP  
PDIP, MSOP  
A0  
1
8
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
A0  
A1  
VCC  
WP  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
SCL  
A2  
SCL  
SDA  
• 100 kHz (24AA01) and 400 kHz (24LC01B)  
compatibility  
VSS  
SDA VSS  
• Self-timed write cycle (including auto-erase)  
• Page write buffer for up to 8 bytes  
• Hardware write-protect for entire memory  
• Can be operated as a serial ROM  
• Factory programming (QTP) available  
• ESD protection > 4,000V  
SOT-23-5  
DFN  
1
VCC  
WP  
A0  
8
7
6
5
WP  
Vcc  
1
5
4
SCL  
2
3
4
A1  
SCL  
SDA  
2
3
A2  
VSS  
Vss  
SDA  
• 1,000,000 erase/write cycles  
• Data retention > 200 years  
Note:  
Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX01 (no  
internal connections).  
• 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP, DFN and MSOP  
packages  
Block Diagram  
• 5-lead SOT-23 package  
• Pb-free finish available  
WP  
HV Generator  
• Available for extended temperature ranges:  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
- Automotive (E): -40°C to +125°C  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
Page Latches  
I/O  
SCL  
YDEC  
SDA  
VCC  
VSS  
Sense Amp.  
R/W Control  
© 2005 Microchip Technology Inc.  
DS21711E-page 1  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24LC01B-E/MNY MICROCHIP

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 		1K I2C™ Serial EEPROM
24LC01B-E/MS MICROCHIP

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24LC01B-E/MSG MICROCHIP

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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8
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