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24C02A-E/P

更新时间： 2024-11-06 20:27:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 76K
描述
256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

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24C02A-E/P 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：PLASTIC, DIP-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDDR
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：10.033 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.064 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.00425 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm最长写入周期时间 (tWC)：1 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

24C02A-E/P 数据手册

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24C01A/02A/04A  
2
1K/2K/4K 5.0V I C Serial EEPROMs  
FEATURES  
PACKAGE TYPES  
• Low power CMOS technology  
• Hardware write protect  
• Two wire serial interface bus, I2C compatible  
DIP  
A0  
A1  
1
2
8
7
VCC  
WP*  
• 5.0V only operation  
• Self-timed write cycle (including auto-erase)  
• Page-write buffer  
A2  
3
4
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
• 1ms write cycle time for single byte  
• 1,000,000 Erase/Write cycles guaranteed  
• Data retention >200 years  
8-lead  
SOIC  
1
8
• 8-pin DIP/SOIC packages  
A0  
A1  
VCC  
• Available for extended temperature ranges  
2
3
4
7
6
5
WP*  
SCL  
SDA  
- Commercial (C):  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
0˚C to +70˚C  
-40˚C to +85˚C  
-40˚C to +125˚C  
A2  
DESCRIPTION  
VSS  
The Microchip Technology Inc. 24C01A/02A/04A is a  
1K/2K/4K bit Electrically Erasable PROM. The device  
is organized as shown, with a standard two wire serial  
interface. Advanced CMOS technology allows a signif-  
icant reduction in power over NMOS serial devices. A  
special feature in the 24C02A and 24C04A provides  
hardware write protection for the upper half of the block.  
The 24C01A and 24C02A have a page write capability  
of two bytes and the 24C04A has a page length of eight  
bytes. Up to eight 24C01A or 24C02A devices and up  
to four 24C04A devices may be connected to the same  
two wire bus.  
14-lead  
SOIC  
14  
1
NC  
NC  
A0  
13  
12  
11  
2
3
4
5
6
7
VCC  
WP  
NC  
A1  
NC  
10  
9
SCL  
SDA  
NC  
A2  
VSS  
NC  
8
* “TEST” pin in 24C01A  
This device offers fast (1ms) byte write and  
extended (-40°C to 125°C) temperature operation. It  
is recommended that all other applications use  
Microchip’s 24LCXXB.  
BLOCK DIAGRAM  
Data  
Buffer  
(FIFO)  
24C01A  
24C02A  
24C04A  
Vcc  
Vpp  
R/W Amp  
Vss  
Organization  
Write Protect  
128 x 8  
None  
258 x 8  
080-0FF  
2 Bytes  
2 x 256 x 8  
100-1FF  
8 Bytes  
Data Reg.  
A P  
d o  
Page Write  
Buffer  
2 Bytes  
Memory  
Array  
d
r
i
n
t
SDA  
Slave Addr.  
A0 to  
A7  
e
s e  
s
r
Control  
Logic  
Increment  
SCL  
A8  
A0 A1 A2 WP  
I2C is a trademark of Philips Corporation.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11183D-page 1  
This document was created with FrameMaker 4 0 4  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24C02A-E/SL MICROCHIP

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24C02AE/SM MICROCHIP

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